삼성전자와 SK하이닉스가 23일(현지시간) 미국 스탠퍼드대에서 열린 '핫칩스(Hot Chips) 2026' 첫날 메모리 튜토리얼에서 차세대 고대역폭메모리(HBM) 기술에 대해 확연히 다른 전략을 공개했다. 삼성전자는 베이스 다이를 단순 연결 부품에서 능동적 논리 칩으로 바꾸는 '베이스 다이 능동화'에 무게를 둔 반면, SK하이닉스는 적층 수 증가에 따른 열과 휨 문제를 해결하는 고급 패키징·열 관리 기술에 집중했다. 이날 한상욱 삼성전자 연구원
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